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产品信息
品牌 | IR美国国际整流器公司 | 型号 | IRFBC30 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/*组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 120(V) | 夹断电压 | 12(V) |
跨导 | 1(μS) | *间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | *大漏*电流 | 200000(mA) |
*大耗散功率 | 200000(mW) |