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产品信息
| 品牌 | INFINEON/英飞凌 | 型号 | SPA02N80 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/*组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 2000（mA） |
| *大耗散功率 | （mW） |